[发明专利]提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法

摘要

提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法，涉及半导体晶圆技术领域，解决现有方法存在晶面背面损伤层过大，晶圆强度不足，碎片率高和背面金属粘附强度差进而出现掉金属等问题，首先，对减薄后的芯片进行背面喷砂，获得待腐蚀芯片；对获得的芯片放入酸槽，采用浓酸腐蚀液进行背面腐蚀，腐蚀后冲水、甩干，获得腐蚀后的芯片；所述浓酸腐蚀液的体积比例为，硝酸：冰乙酸：水：HF＝16000:800:8000：2000；芯片进行背面金属淀积：采用蒸发台进行芯片背面金属蒸发；各层金属及厚度分别为V:NI:AG＝400埃：8000埃：12000埃。本发明所述的方法降低减薄腐蚀后存在的芯片强度不足，提高金属粘附性。

主权项

1.提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、对减薄后的芯片进行背面喷砂，获得待腐蚀芯片；步骤一中，将待制作的芯片片筐放置在操作台上,将芯片正面放置在衬垫上,使用喷砂机对芯片的背面喷砂1‑5圈后取出，将取出的芯片放置在盛有去离子水的水槽内的片筐中进行去离子水冲水和甩干各15分钟，采用甩干桶吹液氮，温度40－46℃，完成喷砂；步骤二、对步骤一获得的芯片放入酸槽，采用浓酸腐蚀液进行背面腐蚀，腐蚀后冲水、甩干，获得腐蚀后的芯片；所述浓酸腐蚀液的体积比例为，硝酸：冰乙酸：水：HF＝16000:800:8000：2000；步骤三、对步骤二获得的芯片进行背面金属淀积：采用蒸发台进行芯片背面金属蒸发；各层金属及厚度分别为V:Ni :Ag ＝400埃：8000埃：12000埃。