[发明专利]通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法有效
申请号: | 201610786144.3 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106449979B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 赵一新;钱旭芳;张太阳;郭男杰;李戈;徐凤;岳东亭;阚淼;贾爱华;任孟 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;C01G21/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法;所述方法包括如下步骤:将摩尔比为摩尔比为1:1:0.0125~0.05的HPbI3、CsI以及EDAI2溶于DMF溶液,得前驱体溶液A;将所述前驱体溶液A旋涂到太阳能电池基片上,随后低温退火得到表面平整的钙钛矿薄膜。这种类型的电池不仅具有较高的光电转换效率,而且具有极佳的热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 通过 氨基 有机物 制备 稳定 钙钛矿 cspbi3 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、将HPbI3、CsI和EDAI2混合,溶于DMF溶剂中,得前驱体溶液A;所述HPbI3、CsI和EDAI2的摩尔比为1:1:0.0125~0.05;S2、将所述前驱体溶液A旋涂到钙钛矿基片上,旋涂后低温退火,即得所述钙钛矿晶型的CsPbI3;所述低温退火为:采用90~100℃退火5~10分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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