[发明专利]绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法有效
| 申请号： | 201610782990.8 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106128956B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;岳玲;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L23/544 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：在FZ衬底上生长N‑外延层;在N‑外延层上生长氧化层;通过ring mask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。本发明通过ring注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AA mask和ring注入的对位标记，节省了zero mask及相关的工艺费用。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 绝缘 场效应 igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N‑外延层;步骤二：在N‑外延层上生长氧化层;步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
