[发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201610780974.5 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106531663A | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 泽田元司 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理装置以及半导体装置的制造方法,在具有多个处理模块时,将各处理模块的处理衬底的条件维持在获得规定品质的条件。一种衬底处理装置,其构成为具有处理衬底的多个处理模块;和分别设置在各个多个处理模块的热介质的流路;和检测流经流路的热介质的状态的传感器;和对应各个多个处理模块从而独立设置的、并且使调整处理模块的温度的热介质流入流路并基于传感器的检测结果将流经流路的热介质控制在规定状态的多个调温部。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,其构成为具有:处理衬底的处理室;多个处理模块,其具有并列设置的多个所述处理室;热介质的流路,其分别设置在各个所述多个处理模块;以及多个调温部,其对应于各个所述多个处理模块而独立设置,使调整所述处理模块的温度的热介质流入在该处理模块上设置的所述流路中,其中,所述流路具有:位于比所述处理模块更靠上游侧的上游流路部;位于比所述处理模块更靠下游侧的下游流路部;贯通流路部,其连接至所述上游流路部、并且将所述处理模块中的并列设置的多个所述处理室之间连通;和外周流路部,其连接至所述下游流路部,并且将所述处理模块的外周侧连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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