[发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610780974.5 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106531663A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 泽田元司 申请(专利权)人: 株式会社日立国际电气
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 杨宏军,李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及衬底处理装置以及半导体装置的制造方法,在具有多个处理模块时,将各处理模块的处理衬底的条件维持在获得规定品质的条件。一种衬底处理装置,其构成为具有处理衬底的多个处理模块;和分别设置在各个多个处理模块的热介质的流路;和检测流经流路的热介质的状态的传感器;和对应各个多个处理模块从而独立设置的、并且使调整处理模块的温度的热介质流入流路并基于传感器的检测结果将流经流路的热介质控制在规定状态的多个调温部。
搜索关键词: 衬底 处理 装置 以及 半导体 制造 方法
【主权项】:
一种衬底处理装置,其构成为具有:处理衬底的处理室;多个处理模块,其具有并列设置的多个所述处理室;热介质的流路,其分别设置在各个所述多个处理模块;以及多个调温部,其对应于各个所述多个处理模块而独立设置,使调整所述处理模块的温度的热介质流入在该处理模块上设置的所述流路中,其中,所述流路具有:位于比所述处理模块更靠上游侧的上游流路部;位于比所述处理模块更靠下游侧的下游流路部;贯通流路部,其连接至所述上游流路部、并且将所述处理模块中的并列设置的多个所述处理室之间连通;和外周流路部,其连接至所述下游流路部,并且将所述处理模块的外周侧连通。
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