[发明专利]一种LTPS薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供了一种LTPS薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：一、在基板上形成多晶硅层，并图案化定义多晶硅层；二、在多晶硅层上蚀刻多晶硅层形成图案化多晶硅层；三、对图案化的多晶硅层进行二次光阻灰化，形成N型金属‑氧化物‑半导体层；四、沉积栅极保护层，沉积金属层，在金属层上定义栅电极图案；五、离子注入P型掺杂，形成P型金属‑氧化物‑半导体层；六、对N型金属‑氧化物‑半导体层掩蔽图案光阻灰化，对裸露的金属层进行蚀刻；七、沉积层间介质层、源漏电极金属层，源漏电极金属层蚀刻形成源漏电极，沉积铟锡氧化物半导体透明导电膜并刻蚀图案形成像素电极，得到薄膜晶体管。与现有技术相比，减少两道光刻，减少制程时间，节约成本。

主权项

一种LTPS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、在基板(1)上采用化学气相沉积(CVD)形成非晶硅后进行准分子镭射，形成一层多晶硅层(2)，并对多晶硅层(2)采用掩膜光刻工艺或纳米压印工艺图案化定义多晶硅层(2)，在多晶硅层(2)上形成对称设置的N轻重掺杂区域(11)；步骤二、在多晶硅层(2)上采用干刻工艺，蚀刻多晶硅层(2)形成图案化的多晶硅层(2)；步骤三、对图案化的多晶硅层(2)进行一次光阻灰化，一次光阻灰化后裸露N重掺杂区域，对N重掺杂区域进行离子注入进行N+重掺杂，N+重掺杂后进行二次光阻灰化，裸露N轻掺杂区域并对N轻掺杂区域进行离子注入N－轻掺杂，形成N型金属‑氧化物‑半导体层(3)；步骤四、N轻重掺杂完成后，采用化学沉积工艺沉积栅极保护层(12)，并采用物理气相沉积工艺沉积金属层(5)，采用半色调掩膜工艺在金属层(5)上定义栅电极图案，定义栅电极图案包含N型金属‑氧化物‑半导体层(3)掩蔽图案；步骤五、利用金属栅电极自对准，对多晶硅有源层进行离子注入P型掺杂，形成P型金属‑氧化物‑半导体层(14)；步骤六、对N型金属‑氧化物‑半导体层(3)掩蔽图案采用光阻灰化方法进行光阻灰化，并采用干刻工艺对裸露的N轻重掺杂区域(11)掩蔽的金属层(5)进行蚀刻；步骤七、采用化学气相沉积工艺在金属层(5)上沉积层间介质层(6)，在层间介质层(6)上刻蚀过孔(7)，并采用物理气相沉积工艺沉积源漏电极金属层(8)，将源漏电极金属层(8)采用干刻工艺蚀刻形成源漏电极，然后涂布平坦化膜(9)，采用物理气相沉积工艺沉积铟锡氧化物半导体透明导电膜并采用湿刻工艺刻蚀图案形成像素电极(10)，最终得到薄膜晶体管。