[发明专利]一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法有效
| 申请号： | 201610772489.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653094B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉茜;蒙卡娜 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 耐久 物理 数据模型 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法，其特征在于,所述方法在测试COS中嵌入预解密和预加密的运算函数进行明文密文转换，实现对非易失存储器可靠性的物理数据模型测试,包括以下步骤：(1)测试脚本执行擦写指令，擦除原有数据，发送编程预期数据即预期物理数据和物理地址；(2)测试COS对编程预期数据进行预解密函数运算，预期物理数据和物理地址生成逻辑数据和逻辑地址；(3)逻辑数据和逻辑地址经过芯片数据加密和地址加扰处理生成物理数据和物理地址；(4)对非易失存储器物理地址写入预期物理数据；(5)非易失存储器存储的物理数据经过解密电路和地址解扰生成逻辑数据和逻辑地址；(6)在测试COS中完成明文预加密函数运算，生产物理数据和物理地址；(7)对发送和返回的物理数据进行读校验，判断非易失存储器的物理数据与编程预期数据是否相符，若符合，则继续下一步操作；若不符合，则报错返回失效物理数据和物理地址；(8)循环执行以上擦写或读操作，完成可靠性物理数据模型测试。
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