[发明专利]一种监控侧墙刻蚀后残留的方法有效
申请号: | 201610770418.X | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106128976B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 荆泉;龚华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种监控侧墙刻蚀残留的方法,其以在线光学线宽量测为手段,通过在传统的侧墙刻蚀工艺中增加一步在线光学线宽量测步骤,对图形密集区域的残留介质膜进行量测,通过光学线宽测量的多样本点残留介质膜厚度来监控刻蚀完成后是否有微小异常残留的现象发生,从而作为生产过程后缺陷检测的一种补充手段。因此,通过本发明提供的方法,可以大大提高产品缺陷的检测准确率,缩短检测周期并确保了产品良率的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 监控 刻蚀 残留 方法 | ||
【主权项】:
1.一种监控侧墙刻蚀后残留的方法,其特征在于,包括:步骤S1:在侧墙刻蚀工艺中,确定侧墙刻蚀后某批次晶圆中每片晶圆面内的图形密集区域,使用光学测量仪测量侧墙刻蚀后每片晶圆面内的图形密集区域多点残留介质膜厚度;步骤S2:根据所述多点残留介质膜厚度计算所述晶圆面内的残留介质膜厚度均一性;步骤S3:通过计算得到所述晶圆面内的残留介质膜厚度均一性和单点量测的介质膜厚度值进行生产过程管控;具体包括:步骤S31:根据残留介质膜厚度均一性和单点量测的介质膜度值长期稳定阶段的表现设置管控规格;步骤S32:计算得到残留介质膜厚度均一性和单点量测的介质膜厚度值;步骤S33:判断得到残留介质膜厚度均一性和单点量测的介质膜厚度值是否超过所述管控规格;如果是,进行后续追加缺陷扫描进行最终确认所述晶圆是否有介质膜残留,如果否,确认所述晶圆没有介质膜残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造