[发明专利]一种炉管的进气装置有效
申请号: | 201610770371.7 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106191990B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 祁鹏;王智;苏俊铭 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种炉管的进气装置,包括:进气口,设于炉管工艺腔的侧壁下端,其连通外部反应气体管路;进气管,设于工艺腔内,其一端连接进气口,另一端封闭,进气管自下而上环绕工艺腔内的晶舟设置;多个喷嘴,沿进气管长度方向并面向晶舟均匀设置;工艺时,通过由进气口向进气管中通入反应气体,并由各喷嘴向晶舟喷射,使晶舟中的每层硅片都均匀接触到反应气体,同时,保持晶舟处于静止不动状态,以在保证产品厚度均匀性的同时,避免因晶舟旋转而带来颗粒污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 炉管 装置 | ||
【主权项】:
1.一种炉管的进气装置,其特征在于,包括:进气口,设于炉管工艺腔的侧壁下端,其连通外部反应气体管路;进气管,设于工艺腔内,其一端连接进气口,另一端封闭,所述进气管自下而上环绕工艺腔内的晶舟设置;多个喷嘴,沿进气管长度方向并面向晶舟均匀设置,所述喷嘴的喷口面向晶舟水平设置;抽气管,设于工艺腔的顶部,用于排出工艺后的残余气体;其中工艺时,通过由进气口向进气管中通入反应气体,并由各喷嘴向晶舟中的每层硅片喷射,使晶舟中的每层硅片都均匀接触到反应气体,同时,保持晶舟处于静止不动状态,以在保证产品厚度均匀性的同时,避免因晶舟旋转而带来颗粒污染。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的