[发明专利]一种降低变容器最小电容的方法有效
| 申请号： | 201610766363.5 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206259B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 卢海峰;张冬明;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低变容器最小电容的方法，包括：进行浅沟槽隔离制作，形成有源区；利用第一光刻胶图案，对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱；利用第二光刻胶图案，对核心NMOS区域和变容器区域执行离子注入；利用第三光刻胶图案，在变容器区域通过注入形成N型阱；制作栅极氧化层并淀积栅极多晶硅，而且进行栅极多晶硅的光刻和刻蚀以形成栅极；将刻蚀后的栅极多晶硅和栅极氧化层进行修复氧化；制作栅极侧墙；进行源漏注入以形成源漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 容器 最小 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低变容器最小电容的方法，其特征在于包括：第一步骤：进行浅沟槽隔离制作，形成有源区；第二步骤：利用第一光刻胶图案，对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱，且不对变容器区域进行离子注入；第三步骤：利用第二光刻胶图案，在核心NMOS区域的核心P型阱区域注入差值阈值电压剂量的离子，在变容器区域注入差值阈值电压剂量的离子，且不对输入输出NMOS区域进行离子注入；第四步骤：利用第三光刻胶图案，在变容器区域通过注入形成N型阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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