[发明专利]利用侧墙结构提高存储区可靠性的方法以及闪存存储器在审
| 申请号： | 201610766307.1 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106129009A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 顾珍;陈昊瑜;殷冠华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用侧墙结构提高存储区可靠性的方法以及闪存存储器。利用侧墙结构提高存储区可靠性的方法包括：在闪存的逻辑区和存储区分别形成栅极结构；在同一工艺中，在逻辑区和存储区的栅极结构的侧壁上形成氧化层；在同一工艺中，在逻辑区和存储区的栅极结构的氧化层表面形成氮化层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 结构 提高 存储 可靠性 方法 以及 闪存 存储器 | ||
【主权项】：
一种利用侧墙结构提高存储区可靠性的方法，其特征在于包括：第一步骤：在闪存的逻辑区和存储区分别形成栅极结构；第二步骤：在相同工艺中，在逻辑区和存储区的栅极结构的侧壁上形成氧化层；第三步骤：在相同工艺中，在逻辑区和存储区的栅极结构的氧化层表面形成氮化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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