[发明专利]等离子蒸发沉积一种准柱状结构热障涂层陶瓷层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610764203.7 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106244977A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 郭洪波;张宝鹏;魏亮亮;宫声凯;徐惠彬 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/11;C23C4/073;C23C14/16;C23C14/30;C25D3/50;C23C4/18;C23C10/48;C23C28/00
代理公司: 北京永创新实专利事务所11121 代理人: 官汉增
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了等离子蒸发沉积一种准柱状结构热障涂层陶瓷层的制备方法,属于热障涂层材料及其制备领域。本发明所述的准柱状结构的陶瓷层是由固相、液相、气相共同沉积的,多晶的柱状结构涂层;所述的准柱状结构的陶瓷层材料可以是氧化钇部分稳定氧化锆(YSZ),镧系锆酸盐或铈酸盐。所述的热障涂层包括在基体上制备得到的粘结层、具有准柱状结构的陶瓷层;陶瓷层是单层的YSZ涂层或双层的YSZ+镧系锆酸盐/铈酸盐涂层。上述准柱状结构的陶瓷层可以采用等离子蒸发沉积(Plasma Evaporated Deposition)的方法进行制备。本发明制备的准柱状结构的陶瓷层的沉积速率高,涂层组织稳定、成分均匀,具有良好的隔热性能和抗热震性能。
搜索关键词: 等离子 蒸发 沉积 一种 柱状 结构 热障 涂层 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种等离子蒸发沉积准柱状结构热障涂层陶瓷层,其特征在于:所述的陶瓷层微观结构为多晶准柱状结构,没有特定的晶粒取向;所述的陶瓷层为单层的准柱状结构的YSZ涂层,或者同时具有准柱状结构的YSZ涂层和镧系锆酸盐涂层,或者同时具有准柱状结构的YSZ涂层和镧系铈酸盐涂层。
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