[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610763431.2 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252395B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡世星;单奇;郭瑞;赵景训;刘胜芳 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许志勇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：基板、底栅极、底栅极绝缘层、沟道、刻蚀阻挡层、源极、漏极、顶栅极绝缘层和顶栅极，其中，底栅极位于基板上，底栅极绝缘层位于底栅极上，沟道位于底栅极绝缘层上，刻蚀阻挡层位于沟道上，源极和漏极分别位于沟道的两侧，顶栅极绝缘层位于源极和漏极上，顶栅极位于顶栅极绝缘层上，且源极和漏极与顶栅极或底栅极之一有重叠部分。应用本发明提供的薄膜晶体管结构，避免了现有技术中的双栅极薄膜晶体管中的上沟道和下沟道很难同时导通的问题，即采用本发明提供的薄膜晶体管结构，可以产生相对较稳的电流/电压，进而提高了AMOLED显示屏的显示性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、底栅极、底栅极绝缘层、沟道、刻蚀阻挡层、源极、漏极、顶栅极绝缘层和顶栅极，其中，所述底栅极位于所述基板上，所述底栅极绝缘层位于所述底栅极上，所述沟道位于所述底栅极绝缘层上，所述刻蚀阻挡层位于所述沟道上，所述源极和漏极分别位于所述沟道的两侧，所述顶栅极绝缘层位于所述源极和漏极上，所述顶栅极位于所述顶栅极绝缘层上，其中，/n所述顶栅极与所述源极有重叠部分且与所述漏极没有重叠部分，所述底栅极与所述源极没有重叠部分且与所述漏极有重叠部分；或者是/n所述顶栅极与所述漏极有重叠部分且与所述源极没有重叠部分，所述底栅极与所述漏极没有重叠部分且与所述源极有重叠部分。/n
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