[发明专利]硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法有效
| 申请号： | 201610762548.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106159064A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宣紫程 | 申请（专利权）人： | 宣紫程 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司： | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人： | 陶远恒 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市惠城区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法。本发明创造性地将LED芯片直接封装在散热基体上，相比起现有技术，本发明的LED芯片其工作时产生的热量可以直接通过散热基体传导，散热效率明显高于现有技术。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 高密度 led 光源 模组 基于 共晶焊 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底高密度LED光源模组，其特征在于：包括散热基体，所述散热基体上设有封装区；还包括覆盖在封装区上的硅衬底以及封装在硅衬底上的LED芯片。
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