[发明专利]阈值开关器件及其制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201610757974.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106935702B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李钟哲;金范庸;李炯东 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C5/02;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种阈值开关器件可以包括：第一电极层；第二电极层；第一绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第一电极层相邻；以及第二绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第二电极层相邻，其中，第一绝缘层和第二绝缘层包括多个中性缺陷，沿着第一绝缘层与第二绝缘层之间的第一界面，多个中性缺陷的浓度为最大，其中，阈值开关器件根据电子是否从多个中性缺陷逐出而具有导通或截止状态。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 开关 器件 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种阈值开关器件，包括：第一电极层；第二电极层；第一绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第一电极层相邻；以及第二绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第二电极层相邻，其中，第一绝缘层和第二绝缘层包括多个中性缺陷，沿着第一绝缘层与第二绝缘层之间的第一界面，多个中性缺陷的浓度为最大，以及其中，阈值开关器件根据电子是否从多个中性缺陷逐出而具有导通或者截止状态。
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