[发明专利]阈值开关器件及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种阈值开关器件，包括：

第一电极层；

第二电极层；

第一绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第一电极层相邻；以及

第二绝缘层，插置在第一电极层与第二电极层之间，并且设置成与第二电极层相邻，

其中，第一绝缘层和第二绝缘层包括多个中性缺陷，沿着第一绝缘层与第二绝缘层之间的第一界面，多个中性缺陷的浓度为最大，以及

其中，阈值开关器件根据电子是否从多个中性缺陷逐出而具有导通或者截止状态，

其中，第一绝缘层包括在距离位于第一绝缘层和第一电极层之间的第二界面第一距离以内的第一界面部分，

第二绝缘层包括在距离位于第二绝缘层与第二电极层之间的第三界面第二距离以内的第二界面部分，以及

第一界面部分和第二界面部分大体上不存在中性缺陷。

2.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，多个中性缺陷的浓度趋向于第一绝缘层与第一电极层之间的第二界面而降低，并且趋向于第二绝缘层与第二电极层之间的第三界面而降低。

3.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，第一绝缘层和第二绝缘层包括施主杂质。

4.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，使用相同的绝缘材料来形成第一绝缘层和第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，当没有将电压施加至第一电极层和第二电极层时，多个中性缺陷具有与第一电极层和第二电极层的功函数大体上相同的能级或者比第一电极层和第二电极层的功函数低的能级。

6.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，多个中性缺陷以预定的间隔沿着第一方向自第一电极层向第二电极层布置。

7.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，当将与第一电极层相比较的相对的正电压施加至第二电极层时，电子的逐出从靠近第二电极层的中性缺陷开始而顺序地执行，并且向靠近第一电极层的中性缺陷扩展。

8.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，在截止状态下，具有0.35eV或更大的肖特基势垒高度的肖特基接触形成在第一电极层与第一绝缘层之间、第二电极层与第二绝缘层之间或者二者兼有。

9.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，在导通状态下，欧姆接触形成在第一电极层与第一绝缘层之间、第二电极层与第二绝缘层之间或者二者兼有，并且

在截止状态下，肖特基接触形成在第一电极层与第一绝缘层之间、第二电极层与第二绝缘层之间或者二者兼有。

10.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，随着形成在第一电极层与第一绝缘层之间、第二电极层与第一绝缘层之间或者二者兼形成有的肖特基势垒高度的增大，在截止状态下流经阈值开关器件的电流减小。

11.根据权利要求1所述的阈值开关器件，其中，随着多个中性缺陷的密度增高，在导通状态下流经阈值开关器件的电流增大。