[发明专利]具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201610756717.8 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107611259B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;金完起;马修·必实凯;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法。本发明公开一种交叉点阵列中的存储单元，其具有较佳的耐久性。各存储单元设置于第一导体及第二导体之间，包括开关与相变材料柱体串联。此柱体在接近第二导体的一端具有富碲材料，而在接近第一导体的另一端具有富锑材料，其中电流方向自第一导体流向第二导体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耐久性 相变 存储器 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：/n多个第一导体设置于一第一图案化层之中，及多个第二导体设置于一第二图案化层之中；以及/n多个存储单元的一阵列，设置于所述第一导体及所述第二导体之间，所述阵列中的各所述存储单元包括：/n一开关，与一相变材料的一本体串联，所述本体具有一有源区，所述有源区包括一第一元素及一第二元素；/n一第一缓冲层，串联设置于所述有源区与所述开关之间，所述第一缓冲层的所述第一元素浓度高于所述有源区的所述第一元素浓度；及/n一第二缓冲层，串联设置于所述有源区与所述第一导体及所述第二导体之中远离所述开关设置之一者之间，所述第二缓冲层的所述第二元素浓度高于所述有源区的所述第二元素浓度。/n
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