[发明专利]一种GaN薄膜的外延生长方法及应用在审
| 申请号： | 201610752400.7 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106328774A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王海燕;林志霆 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaN薄膜的外延生长方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板：(3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。与现有技术相比，本发明具有生长时间短，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳能电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 薄膜 外延 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种GaN薄膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板：衬底温度650‑850℃，转速为5‑10r/min，靶基距为5‑8cm，激光波长为150‑355nm，激光能量为150‑280mJ/p，频率5‑30Hz，氮的等离子体流量为4‑5sccm，RF活化功率为350‑500W；(3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。
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