[发明专利]在硅衬底上生长III‑V族化合物层的方法在审
| 申请号： | 201610743770.4 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298474A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李镇宇;夏兴国;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化铝缓冲层，位于所述硅衬底上；复合缓冲层，位于所述氮化铝缓冲层上，所述复合缓冲层包括多个氮化铝镓子层，其中，每一个氮化铝镓子层都包含AlxGa1‑xN，其中具有0和1之间的对应x值，并且其中，给定氮化铝镓子层的x不大于设置在所述给定氮化铝镓子层和所述氮化铝缓冲层之间的其他氮化铝镓子层的x，其中，最靠近所述氮化铝缓冲层的所述复合缓冲层的氮化铝镓子层的厚度小于复合缓冲层的其余氮化铝镓子层的厚度；以及第一III‑V族化合物块层，位于所述复合缓冲层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 iii 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化铝缓冲层，位于所述硅衬底上；复合缓冲层，位于所述氮化铝缓冲层上，所述复合缓冲层包括多个氮化铝镓子层，其中，每一个氮化铝镓子层都包含AlxGa1‑xN，其中具有0和1之间的对应x值，并且其中，给定氮化铝镓子层的x不大于设置在所述给定氮化铝镓子层和所述氮化铝缓冲层之间的其他氮化铝镓子层的x，其中，最靠近所述氮化铝缓冲层的所述复合缓冲层的氮化铝镓子层的厚度小于复合缓冲层的其余氮化铝镓子层的厚度；以及第一III‑V族化合物块层，位于所述复合缓冲层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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