[发明专利]一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置有效
申请号: | 201610741151.1 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106340477B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 滕宇;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/12 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置,在本体内设有超声波/兆声波发生机构和底部石英部件,超声波/兆声波发生机构设有压电材料,底部石英部件设有石英微共振腔阵列,石英微共振腔阵列自本体下端面的开口伸出,可通过石英微共振腔阵列对传播方向与晶圆表面方向不垂直的超声波/兆声波能量进行选择性去除,并通过超声波/兆声波能量控制单元根据实时位置反馈单元从喷淋臂旋转电机采集的本体在晶圆表面的相对位置信息,对信号源输出电信号进行调整,经压电材料转换后,使晶圆表面的任意位置在单位时间内获得同样的超声波/兆声波能量,从而实现整个晶圆范围内超声波/兆声波能量的均匀分布。 | ||
搜索关键词: | 一种 能量 均匀分布 超声波 声波 清洗 装置 | ||
【主权项】:
1.一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置,其特征在于,包括:本体,其中空的内部设有超声波/兆声波发生机构和底部石英部件,所述超声波/兆声波发生机构设有压电材料,所述压电材料连接本体外的信号源,所述底部石英部件设有由多个垂直棒状石英结构组成的石英微共振腔阵列,所述石英微共振腔阵列自所述本体下端面的开口伸出;喷淋臂,其受喷淋臂旋转电机驱动,带动本体在晶圆表面作过圆心的圆弧往复运动;实时位置反馈单元,用于采集喷淋臂旋转电机的单位转动角度或单位转动时间,以获取本体在晶圆表面的相对位置信息,并输出反馈信息;超声波/兆声波能量控制单元,连接设于信号源和压电材料之间,用于根据实时位置反馈单元反馈的本体在晶圆表面的相对位置信息,对信号源输出电信号进行调整;其中,所述压电材料接收电信号产生超声波能量,经底部石英部件向下传导,并经石英微共振腔阵列的选择性去除后,通过没入图形晶圆上清洗药液中的所述石英微共振腔阵列的下端面垂直传导至图形晶圆表面,带动清洗药液振荡,以进行超声波/兆声波移动清洗,同时,通过所述超声波/兆声波能量控制单元根据本体在晶圆表面的位置变化,实时调整通过的信号源输出电信号,使电信号的占空比从晶圆中心到晶圆边缘由大逐渐减小,以使晶圆表面的任意位置在单位时间内获得同样数量的超声波/兆声波脉冲信号,或者使电信号的功率从晶圆中心到晶圆边缘由小逐渐增大,以使晶圆表面的任意位置在单位时间内获得同样数量的超声波/兆声波能量,并经压电材料的相应转换,实现整个晶圆范围内超声波/兆声波能量的均匀分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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