[发明专利]静电放电保护装置及多电源域集成电路

摘要

本申请实公开了静电放电保护装置和多电源域集成电路。所述静电放电保护装置包括：包括二极管与NMOS晶体管；所述二极管的正极用于与第一接口相耦合；所述二极管的负极与所述NMOS晶体管的第一极相耦合；所述NMOS晶体管的第二极及所述NMOS晶体管的栅极均用于与第二接口相耦合；所述NMOS晶体管的衬底用于接地。所述多电源域集成电路中可以设置有至少一个所述静电放电保护装置。由于所述静电放电保护装置由二极管与NMOS晶体管组成，因此既可以在电压较高时发生电路导通，以实现静电放电保护，又可以在电压较低时实现电路关断，从而在实现静电保护的情况下减少漏电。

主权项

1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括二极管与N型金属氧化物半导体NMOS晶体管；所述二极管的正极用于与第一接口相耦合；所述二极管的负极与所述NMOS晶体管的第一极相耦合；所述NMOS晶体管的第二极及所述NMOS晶体管的栅极均用于与第二接口相耦合；所述NMOS晶体管的衬底用于接地；其中，所述第一接口为电源域的信号输入端或所述电源域的电压源；当所述第一接口为所述电源域的信号输入端时，所述第二接口为所述电源域的电压源；当所述第一接口为所述电源域的电压源时，所述第二接口为所述电源域的信号输入端；所述第一极为所述NMOS晶体管的源极或漏极；当所述第一极为所述NMOS晶体管的源极时，所述第二极为所述NMOS晶体管的漏极；当所述第一极为所述NMOS晶体管的漏极时，所述第二极为所述NMOS晶体管的源极。