[发明专利]一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管及其使用方法

摘要

本发明涉及二极管技术领域，特涉及一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管及其使用方法。本发明在N型圆硅芯片的上表面制作一个二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上制作多个圆形光刻窗口，通过多个圆形光刻窗口扩散出多个P型区，形成多个PN结，在多个圆形光刻窗口处压上一个圆台形正电极，在N型圆硅芯片下部分别压上一个圆柱形负电极，在圆台形正电极和圆柱形负电极之间封装一个绝缘外壳，即形成多PN结瞬态抑制二极管。本发明还公开了一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管制作避雷器的使用方法。本发明解决了一般的瞬态抑制二极管击穿电流较小的问题，具有击穿电流较大，适合制作电力线路避雷器等优点。

主权项

一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管，包括N型圆硅芯片（1）、二氧化硅绝缘层（2）、光刻窗口（3）、P型区（4）、PN结（5）、圆台形正电极（6）、圆台形负电极（7）、绝缘外壳（8）、第二接触电极（10），其中N型圆硅芯片（1）的上表面设置二氧化硅绝缘层（2），其特征在于：所述的光刻窗口（3）还包括第一接触电极（9），第一接触电极（9）下方设置P型区（4）；所述的二氧化硅绝缘层（2）内分布至少两个光刻窗口（3）；光刻窗口（3）下方依次设置P型区（4）；P型区（4）外部被PN结（5）包围；PN结（5）设置在N型圆硅芯片（1）内部；在N型圆硅芯片（1）的下表面镀有一层第二接触电极（10），第二接触电极（10）与圆柱形负电极（7）连接；所述的二氧化硅绝缘层（2）和光刻窗口（3）上方设置圆台形正电极（6）；所述的圆台形正电极（6）、圆柱形负电极（7）分别覆盖在用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管正反面。