[发明专利]沟槽引出集成型低压双向瞬时电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器，包括第一导电类型衬底；在衬底上有第二导电类型的外延层；在第二导电类型外延层上有第一导电类型外延层；第一隔离沟槽进入第一导电类型衬底，并形成第一区域和第二区域；第一区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z1，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D1；第二区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z2，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D2；第二引出沟槽，进入第二导电类型外延层，内填高浓度第二导电类型多晶硅；由第一金属线IO1连接所述二极管Z1和D2，第二金属线IO2连接所述二极管Z2和D1。

主权项

一种沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器，第一导电类型衬底、该导电类衬底的外延层，其特征在于，包括：一个第一导电类型衬底；一个形成在衬底上的第二导电类型的外延层；一个形成在第二导电类型外延层上的第一导电类型外延层；第一隔离沟槽，该沟槽自第一导电类型外延层进入所述第一导电类型衬底，并形成第一区域和第二区域；所述第一区域中形成第一导电类型注入区131、第二导电类型扩散区141以及第一类型的外延121形成二极管Z1，第一区域中第一导电类型外延121和第二导电类型外延111形成二极管D1；所述第二区域中形成第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区以及第一类型的外延形成二极管Z2，第二区域中第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D2;第二引出沟槽，沟槽内填充高浓度第二导电类型多晶硅，并进入第二导电类型外延层，但不进入第一导电类型衬底；形成第一金属线IO1和第二金属线IO2，所述第一金属线IO1连接所述二极管Z1和D2，所述第二金属线IO2连接所述二极管Z2和D1。