[发明专利]多晶硅柱体及多晶硅晶片在审
| 申请号： | 201610729471.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106480499A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 杨承叡;林煌伟;杨瑜民;庄国伟;萧明恭;张元啸;王柏凯;余文怀;许松林;李依晴;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 中美矽晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅柱体及多晶硅晶片。多晶硅柱体包括数个硅晶粒，沿一长晶方向成长。在长晶方向上，硅晶粒的平均晶粒尺寸与多晶硅柱体的电阻率或氧含量具有相反的变化趋势，且与多晶硅柱体的缺陷面积占比具有相同的变化趋势。多晶硅柱体的整体平均缺陷面积占比小于或等于2.5％。多晶硅晶片的碳含量大于4ppma，且其电阻率大于或等于1.55欧姆‑厘米、氧含量大于或等于5.5ppma。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 柱体 晶片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅柱体，具有一长晶方向，所述多晶硅柱体包括：数个硅晶粒，沿所述长晶方向成长，其特征在于：在所述长晶方向上，所述数个硅晶粒的平均晶粒尺寸与所述多晶硅柱体的电阻率具有相反的变化趋势。
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