[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610728317.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486479A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 高桥幸雄;松浦仁 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/525;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟,闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件具有设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过凸状态的第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在第一导电层之上的第二绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：具有主表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在所述半导体衬底上并以包围所述凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过所述凸状态的所述第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在所述第一导电层之上的第二绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
