[发明专利]用于制造改善污染的半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、两个栅极结构、层间介电层和材料层。衬底具有通过设置在衬底中的至少一个隔离结构而分离的至少两个器件区域。每个器件区域均包括设置在衬底中的两个掺杂区域。栅极结构分别设置在器件区域上。在每个器件区域中，掺杂区域分别设置在栅极结构的两个相对侧。层间介电层设置在衬底上方并外围地环绕栅极结构。层间介电层的顶部具有至少一个凹部。材料层填充至少一个凹部，并且具有与栅极结构的顶面位于相同平面的顶面。材料层的最厚部分的厚度与栅极结构的间距的比率在大约1/30至大约1/80的范围内。本发明还提供了一种形成半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有通过设置在所述衬底中的至少一个隔离结构而分离的至少两个器件区域，并且所述器件区域中的每个器件区域均包括设置在所述衬底中的两个掺杂区域；两个栅极结构，分别设置在所述器件区域上，在所述器件区域中的每个器件区域中，所述掺杂区域分别设置在所述栅极结构的两个相对侧；层间介电层，设置在所述衬底上并且外围地环绕所述栅极结构，所述层间介电层的顶部具有至少一个凹部；以及材料层，填充所述至少一个凹部，所述材料层具有与所述栅极结构的顶面位于相同平面的顶面，并且所述材料层的最厚部分的厚度与所述栅极结构之间的间距的比率在1/30至1/80的范围内。