[发明专利]异质接面双极晶体管

摘要

本发明公开了一种异质接面双极晶体管，其包括在一GaAs基板上的一集电极、一基极和一发射极，其中所述基极包括一第一基极层，其包括具有一铟含量i和一第一斜率s1的IniGa1‑iAs，和一第二基极层，其包括具有一铟含量j和一第二斜率s2的InjGa1‑jAs，且s1的平均值为s2的平均值的一半或更小；或者其中所述基极包括一第三基极层，其包括具有一铟含量m的InmGa1‑mAs，和一第四基极层，其包括具有一铟含量n的InnGa1‑nAs，且n的一平均值大于靠近第四基极层处的m；或者其中所述基极包括一第五基极层，其假晶于GaAs且其体晶格常数大于GaAs，所述发射极包括一第三射极层，其假晶于GaAs且其体晶格常数小于GaAs。

主权项

一种异质接面双极晶体管，其特征在于，包括磊晶生长于一砷化镓基板上的多个层半导体层，该多个层半导体层在该砷化镓基板上形成一集电极、在该集电极上形成一基极以及在该基极上形成一发射极，其中该基极包括：一第一基极层，包括一铟含量i为0<i<1的IniGa1‑iAs，该铟含量i为均匀分布或以一第一斜率s1从一发射极端到一集电极端变化，当该铟含量i从该发射极端到该集电极端为增加时，该第一斜率s1被定义为正值；以及一第二基极层，位于该第一基极层与该发射极之间，并包括一铟含量j为0<j<1的InjGa1‑jAs，该铟含量j以一第二斜率s2从该发射极端到该集电极端变化，当该铟含量j从该发射极端到该集电极端为增加时，该第二斜率s2被定义为正值，其中该铟含量i的一平均值大于该铟含量j的一平均值，该第二斜率s2的一平均值为正值，且该第一斜率s1的平均值为该第二斜率s2的平均值的一半或更小。