[发明专利]一种稀土掺杂的晶体硅、其制备方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 201610719064.6 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106169512A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 肖贵云;陈伟;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稀土掺杂的晶体硅，其特征在于，所述晶体硅为N型晶体硅或P型晶体硅；所述稀土元素为铒、钍、铈、镱和铥中的一种或几种；所述稀土元素的掺杂量为0.01ppba～1000ppba。本发明通过在P型或N型晶体硅中掺杂一定量的稀土元素，能够有效提高晶体硅的光谱吸收限，将晶体硅的吸收光谱由400～1100nm左右提高至1100nm以上的波长，增加太阳光的吸收率，从而提高了太阳能电池的光电转化效率。实验结果表明，本发明中的稀土掺杂的晶体硅制成的太阳能电池的光电转化效率提升了0.1％。本发明还提供了一种稀土掺杂的晶体硅的制备方法和太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 晶体 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种稀土掺杂的晶体硅，其特征在于，所述晶体硅为N型晶体硅或P型晶体硅；所述稀土元素为铒、钍、铈、镱和铥中的一种或几种；所述稀土元素的掺杂量为0.01ppba～1000ppba。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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