[发明专利]Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明提供一种Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法，Ge‑Sb‑Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，Ge‑Sb‑Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且x+y+z=100。本发明提供的Ge‑Sb‑Se系列相变材料可以通过调节三种元素的含量得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明所述的Ge‑Sb‑Se相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分。

主权项

一种Ge‑Sb‑Se相变材料，其特征在于，所述Ge‑Sb‑Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，所述Ge‑Sb‑Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且x+y+z＝100。