[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201610698433.8 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN106229344B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 秦纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及晶体管领域,本发明提供了一种薄膜晶体管其制备方法,显示基板及显示装置。所述薄膜晶体管包括:衬底、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极;所述栅极朝向所述半导体层的一侧具有粗糙的表面。由于栅极表面的凹凸不平,使得反射到栅极表面的光线不会再进行反射,或者直接散射到其他方向,从而使得背光源的入射光线无法再通过连续反射照射到半导体层上,减少半导体层被光照射的频率,稳定性得到提升。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括:衬底、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极;其特征在于,所述栅极朝向所述半导体层的一侧具有粗糙的表面,所述栅极和所述栅极绝缘层之间还设置有缓冲层;所述粗糙的表面的粗糙度为20~100nm。
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