[发明专利]一种利于封装的新型背接触电池装置在审
申请号: | 201610696199.5 | 申请日: | 2016-08-22 |
公开(公告)号: | CN106169509A | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 张杰 | 申请(专利权)人: | 四川英发太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/048 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种利于封装的新型背接触电池装置,包括硅片基体,硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层,P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层,N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜,P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜,硅片基体的背面还印刷有金属栅线;所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜,所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体,EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体,导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池,其结构简单,便于制作,在一定程度上降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 利于 封装 新型 接触 电池 装置 | ||
【主权项】:
一种利于封装的新型背接触电池装置,其特征在于,包括硅片基体(1),硅片基体(1)的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层(5),P型掺杂层(5)的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层(4),N型非晶硅层(4)上覆盖有氮化硅钝化膜,P型掺杂层(5)上覆盖有氮化硅钝化膜,硅片基体(1)的背面还印刷有金属栅线(2);所述硅片基体(1)的正面覆盖有氮化硅膜(3),所述N型非晶硅层(4)的外表面依次层叠设有EVA膜(6)、导电薄膜(7)、玻璃基体(8),EVA膜(6)与导电薄膜(7)之间设有导电胶体,导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体(1)的背面接触。
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