[发明专利]一种P沟道VDMOS器件生产方法有效
| 申请号： | 201610693325.1 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106098782B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;何火军;杨振;赵铝虎;潘国刚 | 申请（专利权）人： | 华越微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅氧层，然后在栅氧层上进行多晶硅淀积与掺杂，并再次利用多晶栅光刻版形成多晶硅栅层步骤；在栅氧层的局部区域覆盖光刻胶，然后直接进行源P+加工，在N型基区内形成P+区步骤；以及最后淀积内金属绝缘层，同时在外延层的上表面和下表面分别设置金属层形成标准的VDMOS器件步骤。上述P沟道VDMOS器件生产方法，可实现P沟道VDMOS器件的Vth值稳定在2~4V之间，具有极高的稳定性与合理性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 vdmos 器件 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P沟道VDMOS器件生产方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1）、外延层有源区打开后，进行薄氧生长，生成氧化层，在氧化层上再覆盖光刻胶层，并根据设计要求局部去胶，然后采用多晶栅光刻版进行带胶N型杂质注入；步骤2）、去除氧化层上剩余的光刻胶，高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深；步骤3）、在氧化层上进行硼杂质注入，N型基区结深之间形成JFET区；步骤4）、漂洗掉氧化层，在外延层上进行正常的栅氧生长，生成栅氧层，然后在栅氧层上进行多晶硅淀积与掺杂，并再次利用多晶栅光刻版形成多晶硅栅层；步骤5）、在栅氧层的局部区域覆盖光刻胶，然后直接进行源P+加工，在N型基区内形成P+区；步骤6）、最后淀积内金属绝缘层来覆盖多晶硅栅以及较厚的PSG/BPSG膜并进行回流处理，同时在外延层的上表面和下表面分别设置金属层，作为源极和漏极，形成标准的VDMOS器件。
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