[发明专利]一种IGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610692252.4 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106252398B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李丙林 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种IGBT器件，包括：衬底及形成于衬底上的漂移层、电流阻挡层和半导体沟道层；位于漂移层内的P+阱；半导体沟道层上形成有发射电极；发射电极和电流阻挡层之间形成有P‑型电极，发射电极和P+阱同电位或电连接；位于发射电极间的半导体沟道层和电流阻挡层内的形成有门极沟槽；门极电极形成于门极沟槽内；集电极位于衬底的背面。P+阱的设计，降低了器件的漏电流，提高了器件的击穿电压；P‑型电极的设计，提高器件电特性的稳定性，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括：衬底，所述衬底的材料为p+GaN半导体层；漂移层，所述漂移层位于所述衬底上；电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述漂移层上；半导体沟道层，所述半导体沟道层位于所述电流阻挡层上；P+阱，所述P+阱位于所述漂移层内；所述P+阱为多个，多个所述P+阱的位置从上至下并联排列，或者多个所述P+阱从上至下并联排列且所述P+阱的数量从上至下依次递增；发射电极，所述发射电极位于所述半导体沟道层上，并与所述半导体沟道层欧姆接触；P‑型电极，所述P‑型电极位于所述发射电极和所述电流阻挡层之间；门极电极，所述门极电极肖特基接触的形成于所述发射电极间的所述半导体沟道层与所述电流阻挡层内的门极沟槽上；集电极，所述集电极位于所述衬底的背面，并与所述衬底形成欧姆接触。
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