[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

摘要

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

主权项

1.一种基板处理装置，包括：工艺腔室；基板支撑部，其设置在所述工艺腔室内部，以支撑基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部，其中所述电极部包括：多个空间形成构件，其向所述基板支撑部方向凸出，以形成空间上相互分离的多个等离子形成空间和多个源气体喷射空间；其中所述多个空间形成构件是电接地的；以及多个等离子电极构件，其分别插入所述多个等离子形成空间，其中所述多个等离子形成空间分别在空间上是相互分离的。