[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201610682390.4 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN106054482B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 江亮亮;唐文浩;戴珂;尹傛俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板的制备方法包括:采用构图工艺在对应衬底的形成有对位标记的区域形成对位标记覆盖层;在衬底上对位标记以外的区域形成黑矩阵膜;通过曝光将对位标记覆盖层去除,以暴露出对位标记;对黑矩阵膜进行构图工艺,以形成黑矩阵的图形;其中,对位标记覆盖层的曝光波长与黑矩阵膜的曝光波长不同。该阵列基板的制备方法能够避免较高光密度(光密度通常≥4.0)的黑矩阵膜在曝光过程中对对位标记的识别、抓取和定位造成的干扰,使黑矩阵膜在曝光时能够通过对位标记精确对位,从而不仅提高了黑矩阵的曝光精度,而且提高了阵列基板的曝光质量和性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,包括:步骤S1:采用构图工艺在对应衬底的形成有对位标记的区域形成对位标记覆盖层;步骤S2:在所述衬底上所述对位标记以外的区域形成黑矩阵膜;其特征在于,还包括:步骤S3:通过曝光将所述对位标记覆盖层去除,以暴露出所述对位标记;步骤S4:对所述黑矩阵膜进行构图工艺,以形成黑矩阵的图形;其中,所述对位标记覆盖层的曝光波长与所述黑矩阵膜的曝光波长不同。
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