[发明专利]DDDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610675008.7 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106229337A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDDMOS器件，包括：一硅衬底；形成于所述硅衬底上的一第一导电类型埋层；形成于所述第一导电类型的埋层上的一第一导电类型外延层；形成于所述第一导电类型外延层上的漂移区，所述漂移区内包括第一导电类型重掺杂区；形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型阱区，该第二导电类型阱区相邻于所述漂移区，所述第二导电类型阱区内形成有第一导电类型重掺杂区以及第二导电类型重掺杂区；形成于所述第二导电类型阱区以及所述漂移区上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅与所述第二导电类型阱区以及所述漂移区之间形成有栅氧化层,所述栅极多晶硅覆盖所述漂移区。本发明能提高DDDMOS器件的导通击穿电压和降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | dddmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种DDDMOS器件，其特征在于，包括：一硅衬底；形成于所述硅衬底上的一第一导电类型埋层；形成于所述第一导电类型的埋层上的一第一导电类型外延层；形成于所述第一导电类型外延层上的漂移区，所述漂移区内包括第一导电类型重掺杂区；形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型阱区，该第二导电类型阱区相邻于所述漂移区，所述第二导电类型阱区内形成有第一导电类型重掺杂区以及第二导电类型重掺杂区；形成于所述第二导电类型阱区以及所述漂移区上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅与所述第二导电类型阱区以及所述漂移区之间形成有栅氧化层；所述栅极多晶硅覆盖所述漂移区。
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