[发明专利]IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610671708.9 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106057879A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件，其包括：第一导电类型轻掺杂的漂移区；形成于漂移区上表面的沟道区，为第二导电类型掺杂；位于漂移区下表面的集电区，为第二导电类型重掺杂；多个沟槽，沟槽穿过沟道区并进入到漂移区上部中；在沟槽的侧面及底部形成有栅介质层；在沟槽中填充多晶硅作为多晶硅栅；在沟槽周边邻接沟道区的漂移区中形成第一导电类型非均匀掺杂的载流子存储层。本发明公开了该种IGBT器件的制造方法。本发明不但能优化IGBT导通压降，而且能同时维持较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，其特征在于，其包括：漂移区，漂移区为第一导电类型轻掺杂；沟道区，沟道区为第二导电类型掺杂，形成于所述漂移区上表面；集电区，集电区为第二导电类型重掺杂，位于所述漂移区下表面；多个沟槽，所述沟槽穿过所述沟道区并进入到所述漂移区上部中；在所述沟槽的侧面及底部形成有栅介质层；在所述沟槽中填充多晶硅作为多晶硅栅；在所述沟槽周边邻接所述沟道区的漂移区中，形成第一导电类型非均匀掺杂的载流子存储层。
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