[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610667656.8 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106128940B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王尧 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 常怡 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基板上形成遮光层；在所述遮光层上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上以第一沉积速度沉积第一氧化硅层后再以第二沉积速度沉积第二氧化硅层；以及在所述第二氧化硅层上沉积非晶硅层，并使其所述非晶硅层转化为多晶硅层，其中，所述第一沉积速度大于第二沉积速度。该方法能够有效解决硅通道电流高，平带电压Vfb偏移，影响多晶硅成的性质，进而影响器件电学性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基板上形成遮光层；在所述遮光层上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上以第一沉积速度沉积第一氧化硅层后再以第二沉积速度沉积第二氧化硅层；以及在所述第二氧化硅层上沉积非晶硅层，并使所述非晶硅层转化为多晶硅层，其中，所述第一沉积速度大于第二沉积速度；所述第二沉积速度为![]()
所述第一氧化硅层的厚度为![]()
所述第二氧化硅层的厚度为![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610667656.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种油茶育苗栽培基质及其制备方法
- 下一篇：一种压缩机吸气消音器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
