[发明专利]一种超结器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610655958.3 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106229336A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 任留涛;李欣;刘铁川 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了超结器件的制造方法。通过该方法实现超结器件的稳定生产，获得电学一致性好的超结器件。该方法包括：在衬底上提供第一外延层；将第一导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层内，以形成第一导电类型掺杂剂本体区；在所述第一外延层上形成掩模层，以限定用于形成第二导电类型的柱形扩散区的区域；将第二导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；去除所述掩模层；进行高温推阱，使第一导电类型掺杂本体区中第一导电类型掺杂物和第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到交替的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的柱形扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件的制造方法，包括：a)在衬底上提供第一外延层；b)将第一导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层内，以形成第一导电类型掺杂剂本体区；c)在所述第一外延层上形成掩模层，以限定用于形成第二导电类型的柱形扩散区的区域；d)将第二导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；e)去除所述掩模层；f)进行高温推阱，使第一导电类型掺杂本体区中第一导电类型掺杂物和第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到交替的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的柱形扩散区。
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