[发明专利]一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法有效
申请号: | 201610652980.2 | 申请日: | 2016-08-11 |
公开(公告)号: | CN106206982B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 杨连乔;魏斌;陈章福;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法,其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底;将所述柔性基底,位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层,或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下,组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板,其过程采用鼓泡法,腐蚀基底法,热释放法的任意一种,转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性,提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果,可以普遍应用于各种结构的光电器件,并进一步提高器件的光电效率。 | ||
搜索关键词: | 制备 聚合物基板 氧阻隔性能 柔性基底 水氧阻隔 电极 石墨烯 底水 源层 柔性聚合物基板 石墨烯复合薄膜 石墨烯薄膜 光电器件 光电效率 鼓泡法 卷对卷 热释放 基底 疏水 薄膜 防水 腐蚀 应用 | ||
【主权项】:
1.一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构,其特征在于:采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底,所述基于石墨烯的水氧阻隔薄膜为石墨烯与金属,金属氧化物,金属氮化物,非金属氮化物中的一种或任意多种组合而成的石墨烯复合薄膜,所述石墨烯复合薄膜的厚度小于2纳米。
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