[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201610650535.2 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106206886B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘超;高文浩;吴超瑜;张军召;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管，包括N型覆盖层、AlaIn1‑aGaP多量子阱有源层和P型AlbIn1‑bP覆盖层(0＜b≤0.5)，所述有源层与P型AlbIn1‑bP覆盖层之间插入一周期结构，所述周期结构由AlxIn1‑xP层和AlyIn1‑yP层交替堆叠（其中0.5＜x＜1，0＜y≤0.5），所述AlxIn1‑xP层的带隙大于所述P型AlbIn1‑bP覆盖层的带隙，其晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层失配，所述AlyIn1‑yP层的晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层匹配。所述周期结构之AlxIn1‑xP层的单层厚度满足在弹性范围内无应变释放，但其总厚度确保能够电子阻挡，并减少直接隧穿效应。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括N型覆盖层、AlaGa1‑aInP多量子阱有源层和P型AlbIn1‑bP覆盖层，其中0＜b≤0.5，其特征在于：在所述有源层与P型AlbIn1‑bP覆盖层之间插入一周期结构，所述周期结构为非超晶格结构，由AlxIn1‑xP层和AlyIn1‑yP层交替堆叠而成，其中0.5＜x＜1，0＜y≤0.5，所述AlxIn1‑xP层的带隙大于所述P型AlbIn1‑bP覆盖层的带隙，其晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层失配，单层厚度满足在弹性范围内无应变释放，但其总厚度确保能够阻挡电子，并减少直接隧穿效应，所述AlyIn1‑yP层的晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层匹配。
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