[发明专利]基于纳米线的太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201610640931.7 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106206780B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | L.萨穆尔森;M.马格努森;F.卡帕索 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/0735 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郑冀之,刘春元 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的太阳能电池结构包含构成该太阳能电池结构的光吸收部分的纳米线(205)以及包围该纳米线(205)的至少一部分的钝化壳(209)。在本发明的第一方面，该钝化壳(209)包含光导壳(210)，其优选地具有高的且间接的带隙以提供光导特性。在本发明的第二方面，太阳能电池结构包含多根纳米线，以相邻纳米线之间的最大间距定位所述多根纳米线，该最大间距比所述太阳能电池结构打算要吸收的光的波长短，以便为光吸收提供有效介质。归功于本发明，有可能提供高效率的太阳能电池结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
位于衬底(220)上的太阳能电池结构，包括包含多个纳米线(205)的层，该多个纳米线(205)构成所述太阳能电池结构的光吸收部分，该多个纳米线(205)垂直于所述衬底(220)的表面定向并且包括在纳米线(205)中的至少一个PN结，其中，所述衬底(220)包括光电二极管结构，所述光电二极管结构由衬底(220)中位于所述纳米线(205)下方的反向掺杂区域(222，223)形成，并且至少一部分的入射的光被引导至所述光电二极管结构并被所述光电二极管结构吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
