[发明专利]具有沟槽绝缘场板和金属场板的横向高压集成器件有效
| 申请号： | 201610638717.8 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106571393B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高压集成器件包括：源极区和漏极区，设置在半导体层内并且彼此间隔开；漂移区，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，限定在半导体层内并且在源极区与漂移区之间；沟槽绝缘场板，设置在漂移区内；凹陷区，设置在沟槽绝缘场板内；金属场板，设置在沟槽绝缘场板之上，并且填充凹陷区；栅绝缘层，设置在沟道区之上，并且延伸在漂移区之上和沟槽绝缘场板之上；以及栅电极，设置在栅绝缘层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 绝缘 金属 横向 高压 集成 器件 | ||
【主权项】：
一种高压集成器件，包括：源极区和漏极区，设置在半导体层内并且彼此间隔开；漂移区，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，限定在半导体层内并且在源极区与漂移区之间；沟槽绝缘场板，设置在漂移区内；凹陷区，设置在沟槽绝缘场板内；金属场板，设置在沟槽绝缘场板之上，并且填充凹陷区；栅绝缘层，设置在沟道区之上，并且延伸在漂移区之上和沟槽绝缘场板之上；以及栅电极，设置在栅绝缘层之上。
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