[发明专利]成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜装置，使基体变形也不会碎裂、剥离的化合物膜在室温下生长。对原料气体进行瞬间加热，分别引导通过瞬间加热产生的2种以上的生成气体分子种，使其与温度比原料气体的瞬间加热机构的加热温度低的基体接触，形成第一化合物膜，同时形成包含至少1种第一化合物膜所含元素的第二化合物膜，生成至少由第一化合物膜和第二化合物膜组成的层叠膜。

主权项

1.一种成膜装置，其特征在于，具备：/n第一瞬间加热机构，其对第一原料气体进行瞬间加热而生成第一生成气体分子种；/n第二瞬间加热机构，其对种类与所述第一原料气体不同的第二原料气体进行瞬间加热而生成第二生成气体分子种；/n第三瞬间加热机构，其对第三原料气体进行瞬间加热而生成第三生成气体分子种；/n第四瞬间加热机构，其对种类与所述第三原料气体不同的第四原料气体进行瞬间加热而生成第四生成气体分子种；/n第一配管，其与所述第一瞬间加热机构连接；/n第一引导件，其与所述第一配管连接；/n第二配管，其与所述第二瞬间加热机构连接；/n第二引导件，其与所述第二配管连接；/n第三配管，其与所述第三瞬间加热机构连接；/n第三引导件，其与所述第三配管连接；/n第四配管，其与所述第四瞬间加热机构连接；/n第四引导件，其与所述第四配管连接；/n基体，其温度比所述第一、第二、第三及第四瞬间加热机构的各加热温度低；/n第一成膜室，其被导入所述第一生成气体分子种和所述第二生成气体分子种；和/n第二成膜室，其被导入所述第三生成气体分子种和所述第四生成气体分子种；/n所述第一、第二、第三及第四瞬间加热机构，通过使所述第一原料气体、所述第二原料气体、所述第三原料气体及所述第四原料气体与在热交换器基体的表面所形成的流道的被电加热的流道壁垂直碰撞而进行热交换从而生成所述第一生成气体分子种、所述第二生成气体分子种、所述第三生成气体分子种和所述第四生成气体分子种，/n所述第一瞬间加热机构的加热温度低于所述第三瞬间加热机构的加热温度，或者，所述第二瞬间加热机构的加热温度低于所述第四瞬间加热机构的加热温度，在所述第一成膜室，通过所述第一配管引导所述第一生成气体分子种并借助所述第一引导件将其吹向所述基体的表面，通过所述第二配管引导所述第二生成气体分子种并借助所述第二引导件将其吹向所述基体的表面，使所述第一生成气体分子种和所述第二生成气体分子种在所述基体的表面接触并发生反应而形成第一化合物膜，使形成有所述第一化合物膜的所述基体向所述第二成膜室移动，在所述第二成膜室，通过所述第三配管引导所述第三生成气体分子种并借助所述第三引导件将其吹向所述基体的表面，所述第四配管引导所述第四生成气体分子种并借助所述第四引导件将其吹向所述基体的表面，使所述第三生成气体分子种和所述第四生成气体分子种在所述基体的表面接触并发生反应而形成包含至少1种所述第一化合物膜所含元素的第二化合物膜，生成至少由所述第一化合物膜和所述第二化合物膜组成的层叠膜。/n