[发明专利]一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法。以碱金属氢氧化合物(CsOH·H₂O)、过渡金属(Mn)、二元固溶体(As₂S₃)和硫粉(S)为原料，油酸和二乙基三胺为溶剂，在130‑160℃环境中反应4‑7天，得到四元硫化物半导体材料，化学组成式为：CsMnAsS₃。本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达90％以上，化学纯度高，可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。

主权项

1.一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述的四元硫化物半导体光催化材料化学组成式为CsMnAsS₃，属于单斜晶系，P2(1)/n空间群，晶胞参数a=10.1851(5)Å，b=6.4854(3)Å，c=10.3638(5)Å，α=90°，β=95.675(4)°，γ=90°，V= 681.22(8)ų ，Z=4，能隙为 1.78 eV；所述制备方法如下：称取初始原料CsOH•H₂O 1.5 mmol、Mn 1.0 mmol、As₂S₃ 0.5 mmol和S 3.0 mmol放入水热釜中，再加入二乙基三胺0.5ml和油酸2.0 mL，将水热釜置于140 ℃下反应5天；反应结束后，打开水热釜，取出产物，分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到四元硫化物半导体材料CsMnAsS₃。