[发明专利]具有横向变化掺杂分布图的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610630139.3 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106409910A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·特根;马丁·巴特尔斯;马尔科·莱姆克;拉尔夫·鲁道夫;罗尔夫·魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 朱胜,穆云丽 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有横向变化的掺杂分布图的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有第一侧(301)的半导体衬底(300)。在半导体衬底(300)中形成有至少第一掺杂区(341)。第一掺杂区(341)具有横向变化的掺杂剂量和/或横向变化的注入深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 变化 掺杂 分布图 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：设置具有第一侧(201，301)的半导体衬底(200，300)；在所述半导体衬底(200，300)的所述第一侧(201，301)上形成具有变化的厚度的第一注入掩模(291，292，391)；在所述半导体衬底(200，300)中限定用于各个半导体元件(230a，230b，230c，230d，330a，330b，330c，330d，330e，331)的区域；以及通过所述第一注入掩模(291，391)将掺杂剂注入到所述半导体衬底(200，300)中以形成至少第一掺杂区(240，341)，所述第一掺杂区(240，341)至少部分地布置在第一组(235，335)半导体元件(230a，230b，230c，230d，330a，330b，330c，330d，330e，331)下方，并且所述第一掺杂区(240，341)具有横向变化的掺杂剂量和/或横向变化的注入深度。
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