[发明专利]深沟槽填充方法在审
| 申请号： | 201610621874.8 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106229335A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 姚亮;王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽填充方法，在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质对沟槽内剩余空隙进行填充至填充满沟槽。本发明所述的深沟槽填充方法，外延填充在外延底部合拢后顶部合拢前停止，保持底部和顶部的外延体积相接近。由于填充外延内部的杂质量与体积成正比，所以本填充方法可以减小深沟槽底部和上部的杂质量差异，提升耗尽区的均匀性，使得在反向耗尽时沟槽各个深度的耗尽程度差异不大，进而提升耗尽区的耐压效率，提升产品的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽外填充方法，其特征在于：在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质进行填充至填充满沟槽。
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