[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决TFT制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，刻蚀沟道时，源漏极金属掉的金属颗粒易污染沟道的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层和源漏极的图形；其中附加膜层的图形分别设置在有源层上的两端，且能够被源漏极的图形完全覆盖；附加膜层与源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀。由于在有源层和源漏极之间增加了附加膜层，可以通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，因而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，减小在采用干刻蚀法刻蚀沟道时，金属颗粒对沟道的污染。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形；其中，/n所述附加膜层的图形分别设置在所述有源层上的两端，且能够被所述源漏极的图形完全覆盖；所述附加膜层与所述源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀；/n所述在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形，具体包括：/n在衬底基板上依次形成有源层，以及能够覆盖所述有源层的附加膜层；/n在所述附加膜层上依次形成一整层的金属薄膜和具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层；/n利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形；/n所述利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形，具体包括：/n利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域的金属薄膜，形成与所述光刻胶保留区域的图形相同的金属薄膜的图形；/n利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第二刻蚀液对所述附加膜层进行刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域，以及部分所述光刻胶保留区域的附加膜层，得到小于所述金属薄膜的图形的附加膜层的图形；/n利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉所述金属薄膜的图形上靠近所述光刻胶完全去除区域的部分金属，得到与所述光刻胶保留区域的图形有预设偏移量的源漏极的图形；/n利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成所述有源层上的沟道区域。/n