[发明专利]一种具有散热结构的GaN发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201610606485.8 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106098873A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 王汉清 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有散热结构的GaN发光二极管的制造方法，具体包括：提供两个厚度不同硅基板并进行叠层键合，上层硅基板的厚度大于下层硅基板的厚度；通过刻蚀工艺刻蚀上层的所述硅基板，得到具有微通道的硅基板；将蓝宝石衬底键合至硅基板上，形成散热衬底结构；在下层的所述硅衬底的背面钻孔形成两个开孔，所述开孔连通所述微通道，所述两个开孔分别作为工质的入口和出口；在所述蓝宝石衬底上依次形成GaN外延层、电流阻挡层、电流扩展层，然后刻蚀台阶状电极设置部，形成两个电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 散热 结构 gan 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有散热结构的GaN发光二极管的制造方法，具体包括：（1）提供两个厚度不同硅基板并进行叠层键合，上层硅基板的厚度大于下层硅基板的厚度；（2）通过刻蚀工艺刻蚀上层的所述硅基板，得到具有具有微通道的硅基板；（3）将蓝宝石衬底键合至硅基板上，形成散热衬底结构；（4）在下层的所述硅衬底的背面钻孔形成两个开孔，所述开孔连通所述微通道，所述两个开孔分别作为工质的入口和出口；在所述蓝宝石衬底上依次形成GaN外延层、电流阻挡层、电流扩展层，然后刻蚀台阶状电极设置部，形成两个电极。
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