[发明专利]三维红外探测器像元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610605232.9 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106448972B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/075;H01C17/28 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;尹英<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维红外探测器像元结构及其制备方法，包括：硅衬底表面的导电金属区，位于硅衬底上方的红外探测结构，其用于探测红外光并产生电信号；以及与红外探测结构相电连的导电梁结构，其用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；导电梁结构包括：竖直方向上排布的至少一层导电梁和多层导电沟槽；每一层导电梁的两端分别接触底部不在同一水平面的两层导电沟槽，红外探测结构与其中一层导电沟槽或其中一层导电梁相接触；导电金属区与其中另一层导电沟槽底部接触；红外探测结构产生的电信号沿着导电沟槽的高度方向和导电梁的水平方向传输，从而在竖直方向上呈迂回路径向下传输到导电金属区。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 红外探测器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外探测器像元结构，位于一硅衬底上，包括：硅衬底表面的导电金属区，位于硅衬底上方的红外探测结构，其用于探测红外光并产生电信号；以及与红外探测结构相电连的导电梁结构，其用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；其特征在于，导电梁结构包括：竖直方向上排布的至少一层导电梁和多层导电沟槽；其中，/n每一层导电梁的两端分别连接底部不在同一水平面的两层导电沟槽；/n红外探测结构与其中一层导电沟槽或其中一层导电梁相接触，使红外探测结构悬挂于导电梁结构中一层导电梁的下方；导电金属区与其中另一层导电沟槽底部接触；/n所述红外探测结构产生的电信号沿着导电沟槽的高度方向和导电梁的水平方向传输，从而在竖直方向上呈迂回路径向下传输到导电金属区；其中，/n在每层导电梁底部具有凸起；凸起不被填满形成槽体；凸起位于导电梁的的两端底部、或呈等间距阵列排布、或者位于导电梁的长度方向的等分处且非导电梁长度方向的中心处、或者不设置于导电梁长度方向的中心处，且凸起分布的密度从导电梁的两端向中心逐渐递减。/n
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