[发明专利]适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置有效
申请号: | 201610603747.5 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN106086822B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 于威;刘海旭;傅广生;杨彦斌;张子才;赵蔚;王春生 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/505 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡澎 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置,其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置,所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上,所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方,并通过提升架与真空反应室上部的提升机构相连接;所述等离子体反应气盒与所述收/放卷装置之间的间隙构成等离子体辉光放电区。本发明可在同一真空反应室中集成多个卷对卷真空镀膜反应装置,并在多个柔性样品上实现批处理真空镀膜工艺。本发明适用于真空环境下高效连续的半导体薄膜生产工艺,并保证了批处理薄膜沉积时工艺条件的稳定以及防止反应气体的交叉污染。 | ||
搜索关键词: | 批处理 放卷装置 等离子体反应 真空反应室 反应装置 真空镀膜 卷对卷 气盒 等离子体辉光放电 真空镀膜工艺 半导体薄膜 薄膜沉积 反应气体 工艺条件 滑动导轨 交叉污染 提升机构 真空环境 提升架 平置 生产工艺 保证 | ||
【主权项】:
一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置,其特征是,在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置,所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上,所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方,并通过提升架与真空反应室上部的提升机构相连接;所述离子体反应气盒与所述收/放卷装置之间的间隙构成等离子体辉光放电区;所述等离子体反应气盒的主体为匀气盒,在匀气盒上设置有进气管口,在匀气盒的顶面分布有加热丝,加热丝用于对匀气盒进行加热;匀气盒的底板为分布有出气孔的出气孔板,在匀气盒上还设置有连接射频电源的射频馈线;在匀气盒的外侧面设置有封闭等离子体辉光放电区的屏蔽罩,在匀气盒的外侧面与屏蔽罩的内侧壁之间留有狭缝,在狭缝上部的匀气盒顶板上开有与狭缝相通的抽气孔,在匀气盒的顶面边缘设置有抽气盒,匀气盒顶板上的抽气孔与抽气盒相通,在抽气盒的侧壁上开有抽气管口;所述收/放卷装置是在架体的顶面设置有下电极板,在架体的两端分别设置有导向辊轴,导向辊轴的轴面上沿与下电极板的上板面持平,在架体上还设置有两个收、放柔性衬底用的收/放卷辊轴,收/放卷辊轴的轴心线与导向辊轴的轴心线相互平行;两个所述收/放卷辊轴的轴头均伸出架体,并均外接一个传动齿轮,在两个传动齿轮之间设置有张力感应器。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的